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9月26日,浙江晶瑞SuperSiC正式通线的12英寸碳化硅衬底加工中试线实现了全线设备自主研发,标志着100%国产化的成功。与8英寸产品相比,12英寸产品的单片晶圆芯片产出量增加约2.5倍,显著降低了长晶、加工和抛光等环节的单位成本,为下游应用提供了成本与效率的新标准。该中试线涵盖了晶体加工、切割、减薄等全流程工艺,所有环节均采用国产设备与自主技术,形成了完整的12英寸SiC衬底闭环。

与此同时,清华大学的研究团队在固态电池领域取得了重大突破,提出了“富阴离子溶剂化结构”设计策略,开发出新型含氟聚醚电解质,显著提升了锂电池的耐高压性能和界面稳定性。采用该电解质的聚合物电池在实际测试中表现优异,能量密度达到604Wh/kg,预示着未来电动车续航里程的提升。此外,该电池在安全测试中未出现燃烧或爆炸现象,解决了高能量密度与高安全性之间的矛盾。

最后,英飞凌与罗姆签署备忘录,合作推进SiC功率器件封装的兼容性,旨在为车载充电器、太阳能发电等领域提供灵活的解决方案。此次合作将提升客户在设计与采购环节的便利性,罗姆将采用英飞凌的创新封装平台,提升功率密度并降低热阻和电感。双方计划未来扩大合作范围,涵盖更多宽禁带功率技术的封装形式,进一步深化合作关系。

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